IXYS IXFN150N10

Описание и технические характеристики IXYS IXFN150N10

IXYS IXFN150N10 – это N-канальный MOSFET транзистор с напряжением 100 В и током стока 150 А, выполненный в корпусе TO-264. Он предназначен для применения в мощных импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях, инверторах, электроприводах и других высоконагруженных системах.

Основные характеристики:

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Напряжение сток-исток (V_DSS): 100 В
• Максимальный ток стока (I_D): 150 А (при 25°C)
• Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R_DS(on)): 6.5 мОм (при V_GS = 10 В)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 2.0 – 4.0 В
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_D): 600 Вт (при 25°C)
• Корпус: TO-264 (аналогичен TO-263, но с большей теплоотдачей)
• Диод обратного восстановления: встроенный (индуктивные нагрузки)
• Температура перехода: от -55°C до +175°C

Парт-номера и совместимые модели:

Аналоги и альтернативные варианты:

• IRFP150N (International Rectifier) – 100 В, 150 А, R_DS(on) ≈ 8 мОм
• STP150N10F7 (STMicroelectronics) – 100 В, 150 А, R_DS(on) ≈ 7 мОм
• FDP100N10 (Fairchild/ON Semi) – 100 В, 100 А (менее мощный аналог)
• IRL100B209 (Infineon) – 100 В, 150 А, R_DS(on) ≈ 6.5 мОм

Применение:

• Силовые инверторы и преобразователи
• Управление двигателями (H-мосты)
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Солнечные инверторы и системы возобновляемой энергии

Если нужна более точная замена, важно учитывать параметры R_DS(on) и максимальный ток в конкретном применении.