IXYS IXFN170N10

Описание и технические характеристики IXYS IXFN170N10

IXFN170N10 — это мощный N-канальный MOSFET транзистор, разработанный компанией IXYS (ныне Littelfuse). Он предназначен для высоковольтных и сильноточных применений, таких как импульсные источники питания, инверторы, двигательные приводы и силовая электроника.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение сток-исток (V_DSS): 100 В
• Максимальный ток стока (I_D): 170 А (при 25°C)
• Низкое сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)): 4,5 мОм (при V_GS = 10 В)
• Быстрое переключение благодаря низкому заряду затвора (Q_g)
• Повышенная надежность благодаря технологии TO-247 Plus (улучшенный теплоотвод)
• Защита от перегрева и перегрузок

Технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|---------------------------|----------|
| Напряжение сток-исток (V_DSS) | 100 В |
| Ток стока (I_D) при 25°C | 170 А |
| Ток стока (I_D) при 100°C | 110 А |
| Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 4,5 мОм (V_GS = 10 В) |
| Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 В |
| Заряд затвора (Q_g) | ~150 нКл |
| Мощность рассеивания (P_D) | 500 Вт |
| Корпус | TO-247 Plus |
| Диапазон рабочих температур | -55°C до +175°C |

Парт-номера (альтернативные обозначения и аналоги)

Прямые аналоги от IXYS / Littelfuse:

• IXFN170N10T (аналог с улучшенными характеристиками)
• IXFN140N10 (100 В, 140 А, R_DS(on) = 6 мОм)
• IXFN200N10 (100 В, 200 А, R_DS(on) = 3,5 мОм)

Совместимые модели от других производителей:

• Infineon IPP110N10N3 (100 В, 110 А, R_DS(on) = 7,5 мОм)
• Vishay SUPFET75N10-18 (100 В, 75 А, R_DS(on) = 18 мОм)
• STMicroelectronics STP160N10F7 (100 В, 160 А, R_DS(on) = 4,5 мОм)
• ON Semiconductor NTMFS5C670N (100 В, 170 А, R_DS(on) = 4,2 мОм)

Применение:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Инверторы и приводы двигателей
• DC-DC преобразователи
• Системы управления мощностью
• Электромобили и промышленная автоматизация

Если вам нужен MOSFET с улучшенными характеристиками, можно рассмотреть IXFN200N10 (более высокий ток) или IXFN140N10 (более доступный вариант). Для замены в критичных схемах рекомендуется проверять datasheet на совместимость по параметрам R_DS(on), Q_g и V_GS(th).