IXYS IXFN210N20P

Описание

IXYS IXFN210N20P – это N-канальный MOSFET транзистор с высоким напряжением и низким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)). Предназначен для мощных импульсных преобразователей, инверторов, DC-DC преобразователей и других приложений, где требуется высокая эффективность и надежность.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|-----------------------------| | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | | Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 200 В | | Макс. ток стока (I_D) при 25°C | 210 А | | Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 4.5 мОм (при V_GS = 10 В, I_D = 105 А) | | Предельное напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 В | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 3–5 В | | Мощность рассеяния (P_D) | 600 Вт (при T_C = 25°C) | | Корпус | TO-264 (аналогичен TO-263, но с усиленными выводами) | | Рабочая температура | -55°C до +175°C |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги (замены):

• IXFN210N20T (аналог с улучшенными характеристиками)
• IXFN140N20P (140 А, 200 В)
• IXFN170N20P (170 А, 200 В)

Совместимые/похожие модели от других производителей:

• Infineon IPP200N20N3 (200 В, 200 А, 4.5 мОм)
• STMicroelectronics STW88N20 (200 В, 88 А, 16 мОм)
• Vishay SUP50020E-GE3 (200 В, 120 А, 8.5 мОм)

Применение

• Импульсные блоки питания
• Инверторы и драйверы двигателей
• DC-DC преобразователи
• Высоковольтные системы управления

Если вам нужен более точный аналог, уточните параметры (например, корпус, ток, R_DS(on)).