IXYS IXFN210N30P3

Описание и технические характеристики IXYS IXFN210N30P3

IXYS IXFN210N30P3 – это N-канальный MOSFET транзистор с напряжением 300 В и током стока 210 А, выполненный в корпусе TO-264. Он предназначен для высокомощных приложений, таких как импульсные источники питания, инверторы, драйверы двигателей и другие силовые электронные системы.

Основные технические характеристики:

• Тип транзистора: N-channel MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 300 В
• Максимальный ток стока (I_D): 210 А (при 25°C)
• Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R_DS(on)): 10 мОм (при V_GS = 10 В)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 3–5 В
• Максимальная мощность рассеивания (P_D): 600 Вт (при 25°C)
• Корпус: TO-264 (аналог TO-263 в усиленном исполнении)
• Температурный диапазон: -55°C до +175°C

Парт-номера и аналоги:

• IXYS / Littelfuse: IXFN210N30T3 (сходные параметры, но возможны различия в корпусе)
• Infineon: IPP210N30N3 G (аналог по характеристикам)
• Vishay: SUP210N30-30 (подобный MOSFET с V_DSS = 300 В)
• STMicroelectronics: STW210N30P5 (возможен аналог в другом корпусе)

Совместимые модели (зависит от схемы применения):

• IXFN140N30P3 (140 А, 300 В)
• IXFN250N30P3 (250 А, 300 В)
• IXFN300N30P3 (300 А, 300 В)
• IRFP260N (50 А, 200 В, менее мощный аналог)

Примечание:

При замене на аналог необходимо учитывать не только электрические параметры, но и тепловые характеристики, а также особенности схемы управления затвором.

Если требуется более точный подбор аналогов, уточните условия эксплуатации (частоту переключения, нагрузку, систему охлаждения).