IXYS IXFN230N10

Описание и технические характеристики IXYS IXFN230N10

IXYS IXFN230N10 – это мощный N-канальный MOSFET-транзистор, разработанный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Он обладает низким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)) и высокой скоростью переключения, что делает его пригодным для импульсных источников питания, инверторов, DC-DC преобразователей и других силовых электронных устройств.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|---------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS) | 100 В |
| Максимальный ток стока (I_D) при 25°C | 230 А |
| Максимальный импульсный ток (I_DM) | 920 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 4.5 мОм (при V_GS = 10 В) |
| Напряжение отсечки (V_GS(th)) | 3 – 5 В |
| Максимальное напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 В |
| Рассеиваемая мощность (P_D) | 500 Вт |
| Температура перехода (T_J) | -55°C до +175°C |
| Корпус | TO-247 (или аналогичный) |

Парт-номера и аналоги:

• Прямые аналоги и замены:

  • IXFN230N10T (альтернативная версия)
  • IXFN230N10P (модифицированный вариант)
  • IRFP260N (Infineon, 200 В, 50 А, R_DS(on) = 40 мОм)
  • IRFB4310PbF (Infineon, 100 В, 140 А, R_DS(on) = 4.5 мОм)
  • STP160N10F7 (STMicroelectronics, 100 В, 160 А, R_DS(on) = 4.5 мОм)

• Совместимые модели (по характеристикам):

  • IXFN140N10 (100 В, 140 А, R_DS(on) = 7.5 мОм)
  • IXFN170N10 (100 В, 170 А, R_DS(on) = 5.5 мОм)
  • IXTK110N10P (100 В, 110 А, R_DS(on) = 8.5 мОм)

Применение:

• Импульсные блоки питания
• DC-DC преобразователи
• Управление двигателями
• Инверторы и сварочное оборудование
• Силовые электронные модули

Этот MOSFET обеспечивает высокую эффективность и надежность в мощных приложениях. При замене на аналоги важно учитывать параметры R_DS(on), токи и температуру эксплуатации.