IXYS IXFN300N10P

Описание и технические характеристики IXYS IXFN300N10P

IXYS IXFN300N10P – это мощный N-канальный MOSFET-транзистор, разработанный для высоковольтных и сильноточных приложений. Применяется в импульсных источниках питания, инверторах, электроприводах, системах управления двигателями и других силовых электронных устройствах.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS) | 100 В |
| Максимальный ток стока (I_D) при 25°C | 300 А |
| Максимальный импульсный ток (I_DM) | 1200 А |
| Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R_DS(on)) | 0.0035 Ом (при V_GS = 10 В) |
| Потребляемая мощность (P_D) | 600 Вт |
| Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 В |
| Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 2–4 В |
| Заряд затвора (Q_g) | 260 нКл |
| Корпус | TO-264 (аналогичен SOT-227B) |
| Рабочая температура | -55°C до +175°C |

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги и парт-номера:

• IXFN300N10T (близкий аналог с аналогичными характеристиками)
• IXFN320N10T (сопротивление R_DS(on) чуть ниже)
• IXFN360N10T (более высокий ток стока)

Совместимые модели от других производителей:

• Infineon IPP300N10N3
• Vishay SUP300N10-18
• STMicroelectronics STW300N10F7
• ON Semiconductor NTMFS300N10

При замене рекомендуется проверять соответствие характеристик, особенно V_DSS, I_D, R_DS(on) и Q_g.

Если вам нужна дополнительная информация по применению или аналогам, уточните условия эксплуатации.