IXYS IXFN32N120

Описание и технические характеристики IXYS IXFN32N120

IXFN32N120 – это мощный N-канальный MOSFET-транзистор с изолированным затвором (IGBT-подобный), разработанный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Он обладает низким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)) и высокой скоростью переключения, что делает его подходящим для импульсных источников питания, инверторов, сварочного оборудования и систем управления двигателями.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Напряжение сток-исток (V_DSS) | 1200 В |
| Максимальный ток стока (I_D) | 32 А (при 25°C) |
| Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 0,22 Ом (при V_GS = 15 В) |
| Максимальное напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 В |
| Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 4,0 В (тип.) |
| Максимальная рассеиваемая мощность (P_D) | 300 Вт |
| Температура перехода (T_J) | -55°C до +150°C |
| Тип корпуса | TO-247 (изолированный) |
| Встроенный диод | Есть (быстрый обратный диод) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги и парт-номера:

• IXYS IXFN32N120X3 (улучшенная версия с низким R_DS(on))
• IXFN32N120P (с улучшенными динамическими характеристиками)
• APT32GR120J (от Microsemi/IXYS)

Частично совместимые модели (с учетом характеристик):

• IRFP460 (600 В, 20 А, TO-247, но ниже по напряжению)
• STW34NB120 (STMicroelectronics, 1200 В, 34 А)
• FGH40N120SMD (Fairchild/ON Semi, 1200 В, 40 А)

Применение

• Высоковольтные импульсные преобразователи
• Инверторы и частотные приводы
• Сварочные аппараты
• Индукционные нагреватели
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Примечание: При замене на аналог важно учитывать не только электрические параметры, но и тепловые характеристики, а также особенности работы схемы.