IXYS IXFN32N120P

Описание и технические характеристики IXYS IXFN32N120P

IXYS IXFN32N120P – это N-канальный MOSFET-транзистор с напряжением 1200 В и током 32 А, разработанный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Использует передовую технологию UltraMOS™, обеспечивающую низкие потери проводимости и переключения.

Основные характеристики:

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Максимальное напряжение (V_DSS): 1200 В
• Непрерывный ток стока (I_D): 32 А (при 25°C)
• Импульсный ток (I_DM): 128 А
• Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)):
  • 0,35 Ом (при V_GS = 15 В)
  • 0,45 Ом (при V_GS = 10 В)
• Пороговое напряжение (V_GS(th)): 4,5 В (тип.)
• Максимальное напряжение затвор-исток (V_GS): ±20 В
• Мощность рассеивания (P_D): 300 Вт (при 25°C)
• Температурный диапазон: -55°C до +150°C
• Корпус: TO-247

Применение:

• Высоковольтные импульсные источники питания (SMPS)
• Инверторы и преобразователи частоты
• Промышленные приводы двигателей
• Устройства плавного пуска
• Установки индукционного нагрева

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от IXYS / Littelfuse:

• IXFN32N120 (аналог без свинца, RoHS-совместимый)
• IXFN32N120P2 (модификация с улучшенными параметрами)
• IXFN36N120P (36 А, 1200 В, близкий по характеристикам)

Совместимые аналоги от других производителей:

• Infineon: IPW60R041P6 (600 В, но схожий ток и R_DS(on))
• STMicroelectronics: STW34N120DM2 (1200 В, 34 А)
• Fairchild / ON Semiconductor: FCH47N60 (600 В, но похожий корпус и применение)

Кросс-производительные замены:

• IRFP32N120K (International Rectifier, 32 А, 1200 В)
• APT32GR120J (Microsemi, 32 А, 1200 В)

Заключение

IXFN32N120P – мощный и надежный транзистор для высоковольтных применений. При замене на аналоги рекомендуется проверять соответствие по напряжению, току и R_DS(on). Для точного подбора учитывайте схему управления затвором и тепловые параметры.

Если нужны специфические параметры или схемы включения, уточните – помогу подобрать оптимальный аналог!