IXYS IXFN36N100Q2

Описание и технические характеристики IXYS IXFN36N100Q2

IXFN36N100Q2 – это N-канальный MOSFET-транзистор с напряжением 1000 В и током стока 36 А, разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений. Используется в импульсных источниках питания, инверторах, электроприводах и других силовых электронных устройствах.

Основные характеристики:

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Напряжение сток-исток (V_DSS): 1000 В
• Ток стока (I_D) при 25°C: 36 А
• Ток стока (I_D) при 100°C: 24 А
• Сопротивление открытого канала (R_DS(on)): 0,19 Ом (при V_GS = 15 В)
• Максимальная мощность рассеивания (P_D): 300 Вт
• Напряжение затвор-исток (V_GS): ±30 В
• Заряд затвора (Q_g): 110 нКл
• Тип корпуса: TO-264 (аналогичен TO-247)
• Температурный диапазон: -55°C до +150°C

Аналоги и совместимые модели:

• IXFN32N100 (32 А, 1000 В)
• IXFN38N100Q2 (38 А, 1000 В)
• IXFN44N100Q2 (44 А, 1000 В)
• APT10036JN (36 А, 1000 В, от Microsemi)
• IRFP460 (20 А, 500 В, менее мощный аналог от Infineon)

Парт-номера и альтернативы:

• IXYS (Littelfuse): IXFN36N100Q2
• Производители с похожими моделями:
  • Infineon: IPW60R041C6 (600 В, но схожие параметры)
  • STMicroelectronics: STW36N100 (36 А, 1000 В)
  • Toshiba: TK36A08W (36 А, 800 В)

Применение:

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Инверторы и преобразователи частоты
• Системы управления двигателями
• Высоковольтные DC-DC преобразователи

Этот MOSFET отличается высокой надежностью и низкими динамическими потерями, что делает его популярным в промышленной и силовой электронике.

Если нужны более точные аналоги или специфические замены – уточните условия работы (частоту переключения, охлаждение и т. д.).