IXYS IXFN38N80Q2

Описание и технические характеристики IXYS IXFN38N80Q2

IXYS IXFN38N80Q2 — это N-канальный MOSFET транзистор с высоким напряжением и низким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)), предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов, драйверов двигателей и других приложений с высокой эффективностью.

Ключевые характеристики:

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 800 В
• Ток стока (I_D) при 25°C: 38 А (непрерывный)
• Ток стока (I_D) при 100°C: 24 А
• Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)): 0,18 Ом (при V_GS = 10 В)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 4 В (тип.)
• Максимальное напряжение затвор-исток (V_GS): ±20 В
• Заряд затвора (Q_g): 90 нКл (тип.)
• Корпус: TO-247 (3 контакта)
• Температурный диапазон: от -55°C до +150°C
• Применение:
  • Импульсные блоки питания (SMPS)
  • Инверторы и H-мосты
  • Драйверы двигателей
  • Высоковольтные DC/DC преобразователи

Парт-номера и совместимые аналоги

Прямые аналоги с похожими параметрами:

• Infineon IPP60R180P7 (600 В, 28 А, R_DS(on) = 0,18 Ом)
• STMicroelectronics STW38N80DM2 (800 В, 38 А, R_DS(on) = 0,18 Ом)
• Fairchild (ON Semiconductor) FCH38N80 (800 В, 38 А, R_DS(on) = 0,22 Ом)
• Vishay IRFP450 (500 В, 14 А, R_DS(on) = 0,4 Ом) – менее мощный, но иногда используется в схожих схемах

Альтернативы от IXYS:

• IXFN34N80Q2 (800 В, 34 А, R_DS(on) = 0,22 Ом)
• IXFN44N80Q2 (800 В, 44 А, R_DS(on) = 0,15 Ом) – более мощный аналог

Примечание:

Перед заменой на аналог рекомендуется проверить соответствие характеристик в конкретной схеме, особенно по заряду затвора (Q_g), емкостям и тепловым параметрам.

Если нужны более точные аналоги или специфичные параметры, уточните условия применения.