IXYS IXFN48N50Q

Описание и технические характеристики IXYS IXFN48N50Q

IXFN48N50Q – это N-канальный MOSFET транзистор от IXYS (ныне Littelfuse), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных применений. Он обладает низким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)) и высокой скоростью переключения, что делает его подходящим для импульсных источников питания, инверторов, DC-DC преобразователей и других силовых электронных устройств.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|---------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 500 В |
| Макс. ток стока (I_D) | 48 А (при 25°C) |
| Импульсный ток стока (I_DM) | 192 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 0,06 Ом (при V_GS = 10 В) |
| Мощность рассеивания (P_D) | 300 Вт (при 25°C) |
| Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 В |
| Емкость затвора (C_iss) | 4800 пФ |
| Температурный диапазон | от -55°C до +150°C |
| Корпус | TO-264 (аналогичен TO-247) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (с похожими параметрами):

• IXFN44N50P (500 В, 44 А, R_DS(on) = 0,068 Ом)
• IXFN52N50P (500 В, 52 А, R_DS(on) = 0,055 Ом)
• IXFN60N50P (500 В, 60 А, R_DS(on) = 0,045 Ом)
• IRFP450 (500 В, 14 А, R_DS(on) = 0,4 Ом) - менее мощный, но в некоторых случаях взаимозаменяемый
• STW48NB50 (500 В, 48 А, R_DS(on) = 0,065 Ом)

Альтернативы от других производителей:

• Infineon IPP50R190CE (500 В, 50 А, R_DS(on) = 0,19 Ом)
• Fairchild (ON Semiconductor) FQA50N50 (500 В, 50 А, R_DS(on) = 0,08 Ом)

Применение

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Инверторы и преобразователи частоты
• DC-DC преобразователи
• Управление двигателями
• Высоковольтные коммутационные устройства

Если вам нужен более точный аналог, уточните требования по току, напряжению и тепловым характеристикам.