IXYS IXFN48N50U2

Описание

IXYS IXFN48N50U2 – это мощный N-канальный MOSFET транзистор, разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений. Он обладает низким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)) и высокой скоростью переключения, что делает его подходящим для импульсных источников питания, инверторов, DC-DC преобразователей и других силовых электронных устройств.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение сток-исток (500 В)
• Низкое сопротивление R_DS(on)
• Быстрое переключение
• Высокая надежность и термостабильность

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Напряжение сток-исток (V_DS) | 500 В | | Ток стока (I_D) | 48 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_DM) | 144 А | | Сопротивление R_DS(on) | 0,062 Ом (при V_GS=10 В) | | Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±30 В (макс.) | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 300 Вт (при 25°C) | | Корпус | TO-264 (аналогичен TO-263 улучшенный) | | Температура хранения | от -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и прямые замены:

• Infineon IPP48N50S
• STMicroelectronics STW48N50
• Vishay SiHF48N50E
• Fairchild (ON Semiconductor) FDP48N50
• IR (Infineon) IRFP48N50

Совместимые модели (схожие характеристики):

• IXFN44N50 (44 А, 500 В, R_DS(on)=0,072 Ом)
• IXFN52N50 (52 А, 500 В, R_DS(on)=0,055 Ом)
• IXFN60N50 (60 А, 500 В, R_DS(on)=0,045 Ом)

Применение

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Инверторы и драйверы двигателей
• Сварочное оборудование
• Высоковольтные коммутационные системы

Если требуется более точный подбор аналога, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров в конкретной схеме.