IXYS IXFN50N80Q2

Описание:
IXYS IXFN50N80Q2 — это N-канальный MOSFET транзистор с напряжением 800 В и током стока 50 А, выполненный в корпусе TO-247. Предназначен для высоковольтных и высокочастотных приложений, таких как импульсные источники питания, инверторы, двигательные системы и другие силовые электронные устройства. Отличается низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on)) и высокой скоростью переключения.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------------|------------------------------| | Напряжение сток-исток (VDS) | 800 В | | Ток стока (ID) при 25°C | 50 А | | Ток импульсный (IDM) | 200 А | | Сопротивление (RDS(on)) | 0.08 Ом (при VGS=10 В) | | Напряжение затвор-исток (VGS)| ±30 В | | Мощность рассеивания (PD) | 300 Вт (при Tcase=25°C) | | Температура перехода (Tj) | от -55°C до +150°C | | Заряд затвора (Qg) | 120 нКл (тип.) | | Время включения/выключения | 18 нс / 60 нс (тип.) | | Корпус | TO-247 |

Парт-номера и аналоги

1. Прямые аналоги от IXYS/Infineon:

   • IXFN50N80
   • IXFN50N80P (с улучшенными параметрами)

2. Совместимые модели от других производителей:

   • Infineon IPW50R080CFD (600 В, но схожие характеристики)
   • STMicroelectronics STW50N80FK (800 В, 50 А, TO-247)
   • Vishay IRFP450PbF (500 В, но популярен в схожих применениях)

3. Альтернативы с близкими параметрами:

   • FDPF50N80 (Fairchild/ON Semi)
   • IRFP460LC (International Rectifier, 500 В)

Примечание:
При замене на аналог важно учитывать не только напряжение и ток, но и динамические параметры (Qg, RDS(on)), а также тепловые характеристики. Для высокочастотных схем критично минимальное время переключения.

Для точного подбора рекомендуется проверять даташиты и сравнивать графики зависимостей.