IXYS IXFN55N50

IXYS IXFN55N50: Описание и технические характеристики

Описание

IXYS IXFN55N50 — это N-канальный мощный MOSFET транзистор, разработанный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Он обладает низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on)) и высокой скоростью переключения, что делает его подходящим для импульсных источников питания, инверторов, DC-DC преобразователей и других силовых электронных устройств.

Корпус TO-264 обеспечивает эффективный теплоотвод, позволяя транзистору работать при высоких токах и напряжениях.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |--------------------------|-----------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Максимальное напряжение (VDS) | 500 В | | Максимальный ток (ID) | 55 А (при 25°C) | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 0.075 Ом (при VGS = 10 В) | | Мощность рассеивания (PD) | 300 Вт (при 25°C) | | Напряжение затвор-исток (VGS) | ±30 В | | Заряд затвора (Qg) | 120 нКл (тип.) | | Время включения (ton) | 35 нс (тип.) | | Время выключения (toff) | 60 нс (тип.) | | Корпус | TO-264 (ISOTOP) | | Диод обратного восстановления | Встроенный (Body Diode) |

Парт-номера и совместимые аналоги

Прямые аналоги (замены):

• IXFN55N50P (модификация с улучшенными параметрами)
• IXFN48N60 (аналог с 600 В, 48 А)
• IXFN44N80 (аналог с 800 В, 44 А)
• IRFP450 (500 В, 14 А, но менее мощный)
• STW55N50 (STMicroelectronics, 500 В, 55 А)
• FDPF55N50 (Fairchild/ON Semi, 500 В, 55 А)

Похожие модели от IXYS:

• IXFN62N50P (500 В, 62 А, улучшенный RDS(on))
• IXFN38N100 (1000 В, 38 А, для более высокого напряжения)

Применение

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Инверторы и преобразователи
• Управление электродвигателями
• Высоковольтные системы
• Сварочное оборудование

Этот транзистор подходит для замены в схемах, где требуются высокие напряжения и токи с минимальными потерями. При выборе аналога важно учитывать напряжение, ток и параметры переключения.