IXYS IXFN60N60

IXYS IXFN60N60 Описание и технические характеристики

Описание:
IXFN60N60 — это N-канальный MOSFET транзистор с напряжением 600 В и током стока до 60 А, разработанный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Применяется в импульсных источниках питания, инверторах, промышленных контроллерах и системах управления двигателями.

Ключевые характеристики:

| Параметр | Значение |
|---------------------------|-----------------------------|
| Напряжение сток-исток (V_DSS) | 600 В |
| Ток стока (I_D) при 25°C | 60 А |
| Ток стока (I_D) при 100°C | 38 А |
| Сопротивление сток-исток (R_DS(on)) | 0.06 Ом (при V_GS=15 В) |
| Макс. мощность (P_D) | 300 Вт |
| Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 В |
| Заряд затвора (Q_g) | 120 нКл (тип.) |
| Время включения (t_d(on)) | 15 нс |
| Время выключения (t_d(off)) | 35 нс |
| Корпус | TO-247 (IXFN) |

Парт-номера и аналоги:

Прямые замены (аналогичные параметры):

• IXYS IXFN60N60P1 (модификация с улучшенными характеристиками)
• IXFN60N60X3 (альтернативная версия)
• IXFN60N60P (более ранняя версия)

Совместимые/альтернативные модели (аналоги от других производителей):

• Infineon IPA60R199CP (600 В, 50 А, R_DS(on) = 0.19 Ом)
• STMicroelectronics STW60N60DM2 (600 В, 60 А, R_DS(on) = 0.06 Ом)
• ON Semiconductor FCH60N60 (600 В, 60 А, R_DS(on) = 0.065 Ом)
• IR (Infineon) IRFP460 (500 В, 20 А, менее мощный, но иногда используется как замена)

Примечания:

• Перед заменой проверяйте соответствие характеристик, особенно R_DS(on), Q_g и корпус.
• Для высокочастотных схем критично учитывать заряд затвора.

Если нужна дополнительная информация по конкретному аналогу или применению — уточните!