IXYS IXFN60N80P

Описание и технические характеристики IXYS IXFN60N80P

IXYS IXFN60N80P – это мощный N-канальный MOSFET транзистор, изготовленный по технологии Trench+ (глубокий затвор), который обеспечивает низкое сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) и высокую переключаемую мощность. Применяется в импульсных источниках питания, инверторах, DC-DC преобразователях, промышленных и автомобильных системах.

Основные параметры:

| Характеристика | Значение |
|----------------|---------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS) | 800 В |
| Максимальный ток стока (I_D) | 60 А (при 25°C) |
| Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 0.075 Ом (при V_GS = 10 В) |
| Максимальная рассеиваемая мощность (P_D) | 375 Вт |
| Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±30 В |
| Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 4 В |
| Емкость затвора (C_iss) | 4200 пФ |
| Время включения (t_d(on)) | 20 нс |
| Время выключения (t_d(off)) | 130 нс |
| Корпус | TO-247 (IXFN) |
| Температурный диапазон | -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые аналоги

Прямые аналоги от IXYS/Littelfuse:

• IXFN60N80P2 (улучшенная версия)
• IXFN60N80P3 (модификация с улучшенными динамическими характеристиками)

Совместимые аналоги от других производителей:

• Infineon IPA60R099P7 (600 В, 60 А, R_DS(on) = 0.099 Ом)
• STMicroelectronics STW60N80 (800 В, 60 А, R_DS(on) = 0.08 Ом)
• Fairchild (ON Semiconductor) FCP60N80 (800 В, 60 А, R_DS(on) = 0.08 Ом)
• IR (Infineon) IRFP460 (500 В, 20 А, но может использоваться в менее требовательных схемах)

Применение:

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Инверторы и частотные преобразователи
• Системы управления электродвигателями
• Промышленные и автомобильные DC-DC преобразователи

Транзистор обладает высокой надежностью и эффективностью, что делает его популярным в силовой электронике. Перед заменой рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров.

Нужны дополнительные данные или схемы подключения?