IXYS ixfn64n50p

Описание и технические характеристики IXYS IXFN64N50P

IXYS IXFN64N50P – это N-канальный MOSFET транзистор с высоким напряжением и малым сопротивлением в открытом состоянии, предназначенный для мощных импульсных приложений, таких как DC-DC преобразователи, инверторы, драйверы двигателей и источники питания.

Основные характеристики:

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 500 В
• Непрерывный ток стока (I_D): 64 А (при 25°C)
• Импульсный ток стока (I_DM): 256 А
• Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)): 0.05 Ом (при V_GS = 10 В)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 3–5 В
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_D): 300 Вт
• Тип корпуса: TO-264 (аналогичен TO-3P)
• Диапазон рабочих температур: от -55°C до +150°C

Преимущества:

• Низкое R_DS(on) для уменьшения потерь мощности
• Высокая перегрузочная способность по току
• Быстрое переключение благодаря низкой входной емкости
• Плавная работа в ключевом режиме

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги от IXYS/Littelfuse:

• IXFN64N50P (основная модель)
• IXFN64N50 (аналогичные параметры, возможны небольшие отличия в корпусе)

Совместимые модели от других производителей:

• Infineon: IPP60R099CPA, IPP60R190C6
• STMicroelectronics: STW64N50M2, STP60NF50
• Vishay: IRFP460, IRFP450
• Fairchild/ON Semiconductor: FDPF51N50

При замене рекомендуется проверять характеристики, особенно R_DS(on), V_GS(th), и корпус.

Если нужны дополнительные параметры (графики вольт-амперных характеристик, температурные зависимости и т. д.), уточните запрос!