IXYS IXFN64N60P

Описание и технические характеристики IXYS IXFN64N60P

IXFN64N60P – это N-канальный MOSFET-транзистор с максимальным напряжением 600 В и током стока 64 А, выполненный в корпусе TO-247. Применяется в импульсных источниках питания, инверторах, DC-DC преобразователях и других силовых электронных устройствах.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 600 В |
| Макс. ток стока (I_D) при 25°C | 64 А |
| Макс. импульсный ток (I_DM) | 256 А |
| Сопротивление сток-исток (R_DS(on)) | 0.065 Ом (при V_GS = 10 В) |
| Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 4 В |
| Макс. рассеиваемая мощность (P_D) | 450 Вт |
| Корпус | TO-247 |
| Температура перехода | от -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены от IXYS / Littelfuse:

• IXFN64N60P2 (аналог с улучшенными характеристиками)
• IXFN68N60P (68 А, 600 В, R_DS(on) = 0.062 Ом)
• IXFN52N60P (52 А, 600 В, R_DS(on) = 0.08 Ом)

Совместимые модели от других производителей:

• Infineon IPA60R190P7 (600 В, 54 А, R_DS(on) = 0.19 Ом)
• STMicroelectronics STW64N60M2 (600 В, 64 А, R_DS(on) = 0.065 Ом)
• ON Semiconductor FDPF64N60T (600 В, 64 А, R_DS(on) = 0.065 Ом)

Эти транзисторы могут применяться в схемах с аналогичными параметрами, но перед заменой рекомендуется проверять datasheet на соответствие по динамическим характеристикам и температурным режимам.

Если нужна более точная информация по аналогам или применению, уточните условия эксплуатации.