IXYS IXFN80N50Q2

Описание

IXYS IXFN80N50Q2 – это N-канальный MOSFET транзистор с высоким напряжением (500 В) и током стока до 80 А. Применяется в мощных импульсных источниках питания, инверторах, DC-DC преобразователях и других силовых электронных устройствах.

Ключевые особенности:

• Низкое сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)).
• Быстрое переключение благодаря низкому заряду затвора (Q_g).
• Высокая надежность и стойкость к перегрузкам.
• Корпус TO-247 для эффективного теплоотвода.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 500 В |
| Макс. ток стока (I_D) | 80 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 0.052 Ом (при V_GS=10 В) |
| Заряд затвора (Q_g) | 90 нКл |
| Макс. мощность рассеивания (P_D) | 500 Вт |
| Корпус | TO-247 |
| Температурный диапазон | -55°C ... +150°C |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги (совместимые модели):

• IXFN80N50P (аналог с близкими параметрами)
• IRFP4568PBF (International Rectifier)
• STP80NF55-06 (STMicroelectronics)
• FDPF80N50 (Fairchild/ON Semiconductor)

Похожие модели от IXYS:

• IXFN82N50P
• IXFN120N50P (более высокий ток)
• IXFN60N50P (меньший ток)

Применение

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Инверторы и драйверы двигателей
• DC-DC преобразователи
• Сварочное оборудование

Если нужны более точные аналоги или специфичные замены, уточните условия работы (частота, температура, нагрузка).