IXYS IXFR140N30P

Описание

IXYS IXFR140N30P — это N-канальный MOSFET транзистор с высоким напряжением стока (300 В) и низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on)). Он предназначен для мощных импульсных преобразователей, DC-DC инверторов, импульсных источников питания (SMPS) и других приложений, где требуется высокая эффективность и надежность.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|-----------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Максимальное напряжение (V_DSS) | 300 В | | Максимальный ток (I_D) при 25°C | 140 А | | Сопротивление R_DS(on) (при V_GS = 10 В) | 0.0085 Ом (8.5 мОм) | | Потребляемая мощность (P_D) | 600 Вт | | Напряжение отсечки (V_GS(th)) | 2–4 В | | Емкость затвора (C_iss) | 8250 пФ (тип.) | | Время включения (t_d(on)) | 15 нс (тип.) | | Время выключения (t_d(off)) | 50 нс (тип.) | | Корпус | TO-247 (TO-3P) | | Диапазон рабочих температур | -55°C до +175°C |

Парт-номера и совместимые аналоги

Прямые аналоги (зависит от схемы):

• Infineon/IPP: IPP140N30P
• Vishay/Siliconix: SIHFR140N30P
• STMicroelectronics: STH140N30P
• Fairchild/ON Semi: FCH140N30P

Близкие по параметрам:

• IXYS IXFR140N20P (200 В, аналогичный ток)
• IXYS IXFR120N30P (300 В, 120 А)
• Infineon IPP110N30P (300 В, 110 А)

Если вам нужна более точная замена, следует учитывать схему работы (частоту переключений, тепловой режим и др.).

Нужна дополнительная информация по применению?