IXYS IXFR55N50

Описание и технические характеристики IXYS IXFR55N50

IXFR55N50 – это N-канальный мощный MOSFET транзистор с высоким напряжением стока-истока (500 В) и током до 55 А. Применяется в импульсных источниках питания, инверторах, системах управления двигателями и других силовых электронных устройствах.

Основные характеристики:

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 500 В
• Максимальный ток (I_D): 55 А (при 25°C)
• Сопротивление открытого канала (R_DS(on)): 0,08 Ом (при V_GS = 10 В)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 4 В
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_D): 300 Вт
• Корпус: TO-247
• Температурный диапазон: -55°C до +150°C

Парт-номера и аналоги:

• IXYS: IXFH55N50, IXFN55N50
• Infineon: IPW60R045CP (аналог по параметрам)
• STMicroelectronics: STW55NM50
• Fairchild/ON Semiconductor: FCH55N50
• IR (Infineon): IRFP450

Совместимые модели (похожие MOSFET):

• IXYS: IXFR60N50, IXFR48N50
• Infineon: IPP60R045CP, IPP60R099CP
• STMicroelectronics: STP55NM50, STW45NM50
• Vishay: IRFP4568PbF

Данный транзистор обладает высокой надежностью и эффективностью, подходит для работы в жестких условиях.