IXYS IXFX26N120P

Описание и технические характеристики IXYS IXFX26N120P

IXFX26N120P – это мощный N-канальный MOSFET-транзистор с высоким напряжением и низким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)), предназначенный для применения в импульсных источниках питания, инверторах, промышленных приводах и других высоковольтных устройствах.

Основные характеристики:

| Параметр | Значение |
|-------------------------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Максимальное напряжение (V_DSS) | 1200 В |
| Максимальный ток (I_D) | 26 А (при 25°C) |
| Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 0,28 Ом (при V_GS = 15 В) |
| Мощность рассеивания (P_D) | 300 Вт (при 25°C) |
| Напряжение затвора (V_GS) | ±30 В |
| Заряд затвора (Q_g) | 120 нКл |
| Время включения/выключения (t_r/t_f) | 60 нс / 90 нс |
| Корпус | TO-264 (аналог TO-247) |

Парт-номера и аналоги:

Прямые аналоги (полные замены):

• IXFX26N120 (более ранняя версия)
• IXFH26N120 (TO-247AC корпус)

Частично совместимые модели (требуется проверка параметров):

• IRFP460 (600 В, 20 А, но с более высоким R_DS(on))
• STW26NM120 (1200 В, 25 А, STMicroelectronics)
• FDP26N40 (400 В, 26 А, Fairchild/ON Semi) – для менее высоковольтных применений

Применение:

• Высоковольтные импульсные источники питания
• Инверторы и преобразователи частоты
• Управление двигателями
• Сварочное оборудование

Примечание: При замене аналогами важно учитывать напряжение, ток и динамические параметры (Q_g, t_r/t_f). Для точной совместимости рекомендуется проверять даташиты.

Если нужны дополнительные аналоги или уточнения – напишите!