IXYS IXFX27N80Q

тел. +7(499)347-04-82
Описание IXYS IXFX27N80Q
IXYS IXFX27N80Q – Описание и технические характеристики
Описание
IXFX27N80Q – это N-канальный мощный MOSFET транзистор производства IXYS (ныне Littelfuse), разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений. Он обладает низким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)) и высокой скоростью переключения, что делает его подходящим для импульсных источников питания, инверторов, DC-DC преобразователей и других силовых электронных устройств.
Корпус TO-247 обеспечивает хороший теплоотвод, а конструкция транзистора оптимизирована для минимизации потерь при коммутации.
Технические характеристики
| Параметр | Значение | |-------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение сток-исток (V_DS) | 800 В | | Макс. ток стока (I_D) при 25°C | 27 А | | Импульсный ток (I_DM) | 108 А | | Сопротивление R_DS(on) (при V_GS=10 В) | 0.23 Ом (тип.) | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 300 Вт (при T_C=25°C) | | Пороговое напряжение (V_GS(th)) | 4 В (мин.) – 6 В (макс.) | | Емкость входа (C_iss) | 2400 пФ (тип.) | | Время включения (t_d(on)) | 20 нс (тип.) | | Время выключения (t_d(off)) | 70 нс (тип.) | | Корпус | TO-247 | | Рабочая температура | -55°C … +150°C |
Парт-номера и совместимые аналоги
Прямые аналоги от других производителей:
- Infineon – IPP60R190P7 (600 В, 20 А, R_DS(on) = 0.19 Ом)
- STMicroelectronics – STW27N80 (800 В, 27 А, R_DS(on) = 0.32 Ом)
- Fairchild (ON Semiconductor) – FQP27N80 (800 В, 27 А, R_DS(on) = 0.3 Ом)
- Vishay – IRFP27N60 (600 В, 27 А, R_DS(on) = 0.19 Ом)
Похожие модели IXYS (Littelfuse):
- IXFX26N80Q (800 В, 26 А, R_DS(on) = 0.25 Ом)
- IXFX30N80 (800 В, 30 А, R_DS(on) = 0.22 Ом)
- IXFX32N60 (600 В, 32 А, R_DS(on) = 0.18 Ом)
Применение
- Импульсные блоки питания (SMPS)
- Инверторы и преобразователи частоты
- Управление электродвигателями
- Высоковольтные DC-DC преобразователи
Этот транзистор сочетает в себе высокую надежность и эффективность, что делает его популярным в промышленной и силовой электронике.