IXYS ixfx55n50

Описание и технические характеристики IXYS IXFX55N50

Описание:
IXFX55N50 – это N-канальный MOSFET-транзистор с высоким напряжением сток-исток (500 В) и значительным током стока (55 А). Применяется в мощных импульсных источниках питания, инверторах, DC-DC преобразователях и других силовых электронных устройствах. Обладает низким сопротивлением открытого канала (RDS(on)) и высокой скоростью переключения, что делает его эффективным в высокочастотных схемах.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|------------------------|---------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Макс. напряжение сток-исток (VDS) | 500 В |
| Макс. ток стока (ID) | 55 А |
| Сопротивление сток-исток (RDS(on)) | 0,06 Ом (при VGS = 10 В) |
| Макс. мощность (PD) | 300 Вт |
| Напряжение затвор-исток (VGS) | ±30 В |
| Пороговое напряжение (VGS(th)) | 3–5 В |
| Время включения (tON) | 18 нс |
| Время выключения (tOFF) | 50 нс |
| Корпус | TO-247 |
| Диапазон рабочих температур | -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели:

Аналоги от IXYS:

• IXFH55N50
• IXFN55N50
• IXFK55N50

Совместимые аналоги от других производителей:

• Infineon: IPP55R190CE
• STMicroelectronics: STW55NM50
• Vishay: IRFP460
• ON Semiconductor: FDP55N50

Применение:

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Инверторы и преобразователи напряжения
• Управление двигателями
• Силовые ключи в промышленной электронике

Если требуется более точный аналог, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров.