IXYS IXGH10N100AU1

Описание и технические характеристики IXYS IXGH10N100AU1

IXGH10N100AU1 – это N-канальный IGBT-транзистор с напряжением 1000 В и током коллектора 20 А (при 25°C). Применяется в мощных импульсных схемах, инверторах, источниках питания и промышленных системах управления.

Основные характеристики:

• Тип транзистора: N-канальный IGBT
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1000 В
• Ток коллектора (I_C) при 25°C: 20 А
• Ток коллектора (I_C) при 100°C: 10 А
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)): 2,5 В (при I_C = 10 А)
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_D): 150 Вт
• Корпус: TO-247
• Диод обратного восстановления (Fast Recovery Diode): Да
• Температурный диапазон: -55°C до +150°C

Парт-номера и аналоги:

• IXYS (Littelfuse): IXGH10N100A, IXGH10N100AU1
• IR (Infineon): IRG4PC50UD, IRG4PC50UDPBF
• STMicroelectronics: STGW20NC60VD, STGW20NC60VDF
• Fairchild (ON Semiconductor): FGH20N100UFD, FGA20N100FTD
• Toshiba: GT20Q101

Совместимые модели (похожие параметры):

• IXYS IXGH12N100A (12 А, 1000 В)
• IXYS IXGH15N100A (15 А, 1000 В)
• Infineon IKW20N100H3 (20 А, 1000 В)
• STMicroelectronics STGW20H100DF (20 А, 1000 В)

При замене рекомендуется проверять характеристики корпуса и тепловые параметры.

Если нужны дополнительные данные (графики, применение), уточните!