IXYS IXGH20N60B

Описание

IXYS IXGH20N60B — это N-канальный мощный MOSFET-транзистор, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных применений. Он обладает низким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)) и высокой скоростью переключения, что делает его подходящим для импульсных источников питания (SMPS), инверторов, двигательных приводов и других силовых электронных устройств.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение сток-исток (V_DSS) | 600 В |
| Ток стока (I_D) при 25°C | 20 А |
| Ток стока (I_D) при 100°C | 12 А |
| Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 0.28 Ом (при V_GS = 10 В) |
| Максимальная рассеиваемая мощность (P_D) | 150 Вт |
| Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 В |
| Заряд затвора (Q_g) | 40 нКл |
| Корпус | TO-247 |
| Температура хранения и работы | от -55°C до +150°C |

Парт-номера (аналоги и замены)

• IXGH20N60C (аналог с улучшенными характеристиками)
• IXGH20N60A (предыдущая версия)
• IRFP460 (International Rectifier)
• STW20NK50Z (STMicroelectronics)
• FQP20N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• APT20M60B (Microsemi)

Совместимые модели (аналоги)

• 20N60, 20N60B, 20N60C (разные производители)
• IRFB20N60K (Infineon)
• HGTG20N60B3D (Fairchild/ON Semi)
• SPW20N60S5 (Infineon)

Если требуется точная замена, рекомендуется сверять параметры R_DS(on), Q_g и V_GS(th). Для высокочастотных применений лучше выбирать аналоги с меньшим зарядом затвора.

Нужна дополнительная информация по применению или datasheet?