IXYS ixgh24n60au1

Описание

IXYS IXGH24N60AU1 – это N-канальный MOSFET-транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных применений. Компонент обладает высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и высокой устойчивостью к перегрузкам.

Применяется в:

• Импульсных источниках питания (SMPS)
• Инверторах и преобразователях частоты
• Системах управления двигателями
• Устройствах индукционного нагрева

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|----------|
| Напряжение сток-исток (V_DSS) | 600 В |
| Ток стока (I_D) при 25°C | 24 А |
| Ток стока (I_D) при 100°C | 16 А |
| Мощность рассеивания (P_D) | 200 Вт |
| Сопротивление сток-исток (R_DS(on)) | 0.25 Ом (при V_GS = 15 В) |
| Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 4 В |
| Емкость затвора (C_iss) | 1400 пФ |
| Время включения (t_d(on)) | 15 нс |
| Время выключения (t_d(off)) | 50 нс |
| Корпус | TO-247 |
| Температура хранения | -55°C … +150°C |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги (замены):

• IXGH24N60A (более ранняя версия)
• IXGH24N60B (улучшенные характеристики)
• IXGH24N60C (аналог с оптимизированными потерями)

Совместимые модели от других производителей:

• Infineon: IPW60R045CP
• STMicroelectronics: STW24N60DM2
• Fairchild (ON Semiconductor): FGH24N60SMD
• IR (Infineon): IRFP460

Примечание

При замене аналогами рекомендуется проверять разводку выводов и параметры V_GS(th), R_DS(on), так как они могут незначительно отличаться.

Если нужны специфические параметры (например, графики ВАХ или тепловые характеристики), уточните – предоставлю дополнительную информацию.