IXYS Ixgh40n120b2d1

Описание и технические характеристики IXYS IXGH40N120B2D1

IXGH40N120B2D1 – это IGBT-транзистор с напряжением коллектор-эмиттер (V_CES) 1200 В и номинальным током коллектора (I_C) 40 А. Применяется в мощных импульсных преобразователях, инверторах, сварочном оборудовании и промышленных системах управления.

Ключевые характеристики:

• Тип транзистора: NPT IGBT
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C при 25 °C): 40 А
• Ток коллектора (I_C при 100 °C): 25 А
• Импульсный ток (I_CM): 80 А
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2,5 В (при I_C = 40 А)
• Мощность рассеивания (P_D): 300 Вт
• Время включения/выключения (t_on / t_off): 60 нс / 320 нс
• Температура перехода (T_j): -40 °C до +150 °C
• Корпус: TO-247 (3 вывода)
• Интегрированный диод: Да (антипараллельный быстрый диод)

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (схожие параметры):

• IXYS IXGH40N120B2 (тот же чип, но может отличаться корпус)
• Infineon IKW40N120T2
• Fairchild FGA40N120ANTD
• STMicroelectronics STGW40NC120KD
• Toshiba GT40QR21

Совместимые модели (похожие характеристики, но могут отличаться параметрами):

• IXGH32N120B2D1 (32 А, 1200 В)
• IXGH50N120B2D1 (50 А, 1200 В)
• IXGH60N120B2D1 (60 А, 1200 В)

Применение

• Инверторы и преобразователи частоты
• Сварочные аппараты
• Импульсные источники питания
• Электроприводы и сервосистемы

Если требуется более высокая мощность, можно рассмотреть модели с большим током (например, IXGH60N120B2D1). Для замены в критичных схемах рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров.