IXYS IXGH60N60C3

Описание и технические характеристики IXYS IXGH60N60C3

IXGH60N60C3 – это N-канальный IGBT-транзистор с кремниевой технологией, разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений. Применяется в инверторах, импульсных источниках питания, системах управления двигателями и других силовых электронных устройствах.

Основные характеристики:

• Тип транзистора: N-канальный IGBT
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Ток коллектора (I_C): 60 А (при 25°C)
• Ток импульсный (I_CM): 120 А
• Мощность рассеивания (P_D): 300 Вт
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)): 2,5 В (при I_C = 60 А)
• Время включения (t_on): 65 нс
• Время выключения (t_off): 220 нс
• Температура перехода (T_j): от -55°C до +150°C
• Корпус: TO-247

Парт-номера и аналоги:

Прямые аналоги (совместимые модели):

• Infineon: IKW60N60T, IKW60N60H3
• Fairchild (ON Semiconductor): FGH60N60SMD
• STMicroelectronics: STGW60NC60WD
• Toshiba: GT60J323

Альтернативные парт-номера от IXYS:

• IXGH60N60A3
• IXGH60N60B3
• IXGH60N60C2

Применение:

• Инверторы и преобразователи частоты
• Сварочное оборудование
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Системы управления электродвигателями
• Устройства плавного пуска

Если нужны дополнительные параметры (например, графики вольт-амперных характеристик), уточните!