IXYS ixgp10n50

Описание и технические характеристики IXYS IXGP10N50

IXGP10N50 – это N-канальный MOSFET транзистор с максимальным напряжением сток-исток 500 В и током стока 10 А. Он предназначен для использования в импульсных источниках питания, инверторах, драйверах двигателей и других силовых приложениях.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 500 В |
| Макс. ток стока (I_D) при 25°C | 10 А |
| Макс. импульсный ток (I_DM) | 40 А |
| Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R_DS(on)) | 0.7 Ом (при V_GS = 10 В) |
| Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 3–5 В |
| Макс. рассеиваемая мощность (P_D) | 125 Вт |
| Тип корпуса | TO-247 |
| Рабочая температура | -55°C до +150°C |

Парт-номера и аналоги:

• IXYS (Littelfuse): IXGP10N50A, IXGP10N50B (модификации с улучшенными параметрами)
• IR (Infineon): IRFP450, IRFP460
• STMicroelectronics: STP10NK50Z, STW10NK50Z
• Fairchild (ON Semiconductor): FQP10N50
• Vishay: IRF740, IRF840 (менее мощные аналоги)

Совместимые модели (аналогичные по характеристикам):

• IXYS IXGH10N50 (аналог с похожими параметрами)
• Infineon IPA60R199CP (более современный аналог с низким R_DS(on))
• ON Semiconductor FDPF10N50
• Toshiba 2SK3562

Этот транзистор подходит для замены в схемах, где требуется высокая надежность и эффективность при работе с высокими напряжениями.

Если нужны дополнительные параметры (графики, точные значения емкостей и т. д.), уточните!