IXYS IXSN35N120U1

тел. +7(499)347-04-82
Описание IXYS IXSN35N120U1
IXYS IXSN35N120U1 – Описание и технические характеристики
Описание:
IXSN35N120U1 – это N-канальный IGBT-транзистор с ультрабыстрым диодом, разработанный для высоковольтных и высокочастотных импульсных приложений. Он обладает низкими потерями при переключении и высокой эффективностью, что делает его подходящим для инверторов, сварочного оборудования, импульсных источников питания и систем управления двигателями.
Ключевые особенности:
- Высокое напряжение коллектор-эмиттер (VCES = 1200 В)
- Низкое падение напряжения в открытом состоянии (VCE(on))
- Ультрабыстрый обратный диод с мягким восстановлением
- Высокая переключательная способность
- Корпус TO-247 (изолированный или неизолированный вариант)
Технические характеристики:
| Параметр | Значение |
|----------------------------|-----------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В |
| Ток коллектора (IC) при 25°C | 35 А |
| Ток коллектора (IC) при 100°C | 20 А |
| Пиковый ток (ICM) | 70 А |
| Падение напряжения VCE(on) (при IC = 35 А) | 2,2 В (тип.) |
| Энергия переключения (Eon + Eoff) | 1,8 мДж (тип.) |
| Время включения (ton) | 45 нс (тип.) |
| Время выключения (toff) | 150 нс (тип.) |
| Корпус | TO-247 (IXSN35N120U1), TO-247 Plus (IXSN35N120U1A) |
| Диапазон рабочих температур | -40°C … +150°C |
Парт-номера и совместимые модели:
Аналоги от IXYS (Littelfuse):
- IXSN30N120U1 (30 А, 1200 В)
- IXSN40N120U1 (40 А, 1200 В)
- IXSN50N120U1 (50 А, 1200 В)
- IXGN35N120 (неизолированный корпус)
Аналоги от других производителей:
- Infineon: IGW35N120H3, IKW35N120H3
- STMicroelectronics: STGW35HF120WD
- Fuji Electric: 2MBI200U2A-120
- Mitsubishi: CM300DY-24A
Применение:
- Инверторы и частотные преобразователи
- Сварочные аппараты
- Импульсные блоки питания (SMPS)
- Системы управления двигателями
- Установки индукционного нагрева
Если требуется более точный подбор аналога, рекомендуется свериться с даташитами и учитывать параметры схемы.