IXYS IXSN80N60A

Описание и технические характеристики IXYS IXSN80N60A

Описание:
IXSN80N60A – это N-канальный MOSFET-транзистор с напряжением 600 В и током стока 80 А, разработанный компанией IXYS (ныне Littelfuse). Этот транзистор обладает низким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)) и высокой скоростью переключения, что делает его подходящим для импульсных источников питания, инверторов, моторных приводов и других силовых приложений.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 600 В | | Макс. ток стока (I_D) | 80 А (при 25°C) | | Сопротивление сток-исток (R_DS(on)) | 0.055 Ом (при V_GS = 10 В) | | Макс. мощность (P_tot) | 300 Вт (при 25°C) | | Пороговое напряжение (V_GS(th)) | 3 - 5 В | | Заряд затвора (Q_g) | 85 нКл (тип.) | | Корпус | TO-247 (изолированный вариант доступен) | | Диапазон рабочих температур | -55°C до +150°C |

Парт-номера и аналоги:

Прямые аналоги (замены) от других производителей:

• Infineon: IPP80N60S3-5
• STMicroelectronics: STW80N60M2
• Vishay Siliconix: IRFP460LC
• Fairchild (ON Semiconductor): FCH80N60

Совместимые модели от IXYS (Littelfuse):

• IXTN80N60P (более новая версия)
• IXTH80N60P
• IXFN80N60P

Применение:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Инверторы и преобразователи частоты
• Управление электродвигателями
• Высоковольтные системы

Этот транзистор отличается высокой надежностью и подходит для мощных силовых приложений. При замене рекомендуется проверять соответствие параметров, особенно R_DS(on) и Q_g.