IXYS IXTB62N50L

Описание и технические характеристики IXYS IXTB62N50L

IXYS IXTB62N50L – это N-канальный MOSFET-транзистор с максимальным напряжением сток-исток 500 В и током стока 62 А (при 25°C). Применяется в мощных импульсных источниках питания, инверторах, DC-DC преобразователях, драйверах двигателей и других силовых электронных устройствах.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение (V_DSS = 500 В)
• Большой ток стока (I_D = 62 А при 25°C, 40 А при 100°C)
• Низкое сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on) = 0,065 Ом при V_GS = 10 В)
• Быстрое переключение (Q_g = 140 нКл)
• Термостойкий корпус TO-264
• Защита от статического электричества

Технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|-----------------------------|---------------------------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Макс. напряжение V_DSS | 500 В |
| Макс. ток I_D (при 25°C) | 62 А |
| Макс. ток I_D (при 100°C) | 40 А |
| Сопротивление R_DS(on) (V_GS = 10 В) | 0,065 Ом |
| Пороговое напряжение V_GS(th) | 4 В (тип.) |
| Общий заряд затвора Q_g | 140 нКл (тип.) |
| Макс. рассеиваемая мощность P_D | 300 Вт |
| Температура хранения/работы | от -55°C до +150°C |
| Корпус | TO-264 (3-выводной) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены (cross-reference):

• IXTH62N50L (аналог от IXYS с улучшенными характеристиками)
• IRFP450 (International Rectifier, 500 В / 14 А, но ниже ток)
• STP60NF06 (STMicroelectronics, 60 В / 60 А, меньше напряжение)
• FDP61N50 (Fairchild/ON Semi, 500 В / 61 А)
• IXTA62N50P (IXYS, подобный параметрам, но в другом корпусе)

Совместимые модели (по характеристикам):

• IXTH62N50P
• IXFH62N50P
• IRFB4227PbF (Infineon, 250 В / 72 А, меньше напряжение)
• APT50M75B2LL (Microsemi, 500 В / 50 А)

Применение

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Инверторы и H-мосты
• Управление двигателями
• DC-DC преобразователи
• Сварочные аппараты

Если вам нужен точный аналог, лучше проверить datasheet на соответствие параметрам, особенно V_DSS, I_D и R_DS(on).