IXYS IXTF1N250

IXYS IXTF1N250
Артикул: 376929

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание IXYS IXTF1N250

Описание

IXYS IXTF1N250 – это N-канальный MOSFET-транзистор с высоким напряжением сток-исток (2500 В), предназначенный для применения в высоковольтных импульсных источниках питания, инверторах, системах управления мощностью и других устройствах, требующих высокой надежности и эффективности.

Этот транзистор выполнен по передовой технологии, обеспечивающей низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) и высокую скорость переключения. Благодаря корпусу TO-247, он обладает хорошими тепловыми характеристиками, что делает его подходящим для мощных приложений.


Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Макс. напряжение сток-исток (VDSS) | 2500 В |
| Макс. ток стока (ID) | 1 А |
| Сопротивление сток-исток (RDS(on)) | 25 Ом (при VGS = 10 В) |
| Макс. мощность рассеяния (PD) | 125 Вт |
| Напряжение затвор-исток (VGS) | ±30 В |
| Заряд затвора (Qg) | ~15 нКл |
| Корпус | TO-247 |
| Рабочая температура | от -55°C до +150°C |


Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги (схожие параметры)

  • IXTF1N250 (оригинальная модель от IXYS)
  • STF1N250 (от STMicroelectronics)
  • APTF1N250 (от Advanced Power Technology)
  • IRF1N250 (устаревший аналог от International Rectifier)

Совместимые модели (с близкими характеристиками)

  • IXTF2N250 (2 А, 2500 В)
  • IXTH1N250 (1 А, 2500 В, TO-264 корпус)
  • STP1N250 (1 А, 2500 В, TO-220 корпус)
  • 2SK серия (некоторые высоковольтные MOSFET от Toshiba)

Применение

  • Высоковольтные импульсные блоки питания
  • Инверторы и преобразователи напряжения
  • Медицинское оборудование
  • Системы управления мощностью

Если вам нужны более точные аналоги или информация по замене, уточните параметры, которые для вас критичны (например, ток, корпус, стоимость).

Товары из этой же категории