IXYS IXTF1N250

тел. +7(499)347-04-82
Описание IXYS IXTF1N250
Описание
IXYS IXTF1N250 – это N-канальный MOSFET-транзистор с высоким напряжением сток-исток (2500 В), предназначенный для применения в высоковольтных импульсных источниках питания, инверторах, системах управления мощностью и других устройствах, требующих высокой надежности и эффективности.
Этот транзистор выполнен по передовой технологии, обеспечивающей низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) и высокую скорость переключения. Благодаря корпусу TO-247, он обладает хорошими тепловыми характеристиками, что делает его подходящим для мощных приложений.
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Макс. напряжение сток-исток (VDSS) | 2500 В |
| Макс. ток стока (ID) | 1 А |
| Сопротивление сток-исток (RDS(on)) | 25 Ом (при VGS = 10 В) |
| Макс. мощность рассеяния (PD) | 125 Вт |
| Напряжение затвор-исток (VGS) | ±30 В |
| Заряд затвора (Qg) | ~15 нКл |
| Корпус | TO-247 |
| Рабочая температура | от -55°C до +150°C |
Парт-номера и аналоги
Прямые аналоги (схожие параметры)
- IXTF1N250 (оригинальная модель от IXYS)
- STF1N250 (от STMicroelectronics)
- APTF1N250 (от Advanced Power Technology)
- IRF1N250 (устаревший аналог от International Rectifier)
Совместимые модели (с близкими характеристиками)
- IXTF2N250 (2 А, 2500 В)
- IXTH1N250 (1 А, 2500 В, TO-264 корпус)
- STP1N250 (1 А, 2500 В, TO-220 корпус)
- 2SK серия (некоторые высоковольтные MOSFET от Toshiba)
Применение
- Высоковольтные импульсные блоки питания
- Инверторы и преобразователи напряжения
- Медицинское оборудование
- Системы управления мощностью
Если вам нужны более точные аналоги или информация по замене, уточните параметры, которые для вас критичны (например, ток, корпус, стоимость).