IXYS IXTH12N150

IXYS IXTH12N150

Описание и технические характеристики

Тип: N-канальный MOSFET транзистор с высокой мощностью и напряжением.
Назначение: Применяется в высоковольтных и сильноточных схемах, таких как импульсные источники питания, инверторы, промышленные преобразователи энергии и системы управления двигателями.

Основные характеристики:

• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 1500 В
• Ток стока (I_D) при 25°C: 12 А
• Ток стока (I_D) при 100°C: 7,5 А
• Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)): 1,5 Ом (при V_GS = 10 В)
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_D): 150 Вт
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 4–6 В
• Ёмкость затвора (C_iss): 1000 пФ (тип.)
• Температурный диапазон: -55°C до +150°C
• Корпус: TO-247

Парт-номера (альтернативные обозначения и аналоги):

• IXYS: IXTH12N150A (модификация)
• Infineon: IXTH12N150 (аналог)
• STMicroelectronics: STW12N150 (частично совместим)
• Toshiba: 2SK2837 (аналог с близкими параметрами)
• Microsemi (Vishay): APT150S120B (альтернатива)

Совместимые модели (аналоги по характеристикам):

• IXTH12N120 (1200 В, 12 А)
• IXTH10N150 (1500 В, 10 А)
• IXFH12N100 (1000 В, 12 А)
• IRFP460 (500 В, 20 А, менее мощный, но иногда заменяется в схемах с меньшим напряжением)

Примечание: При замене на аналог необходимо проверять соответствие V_DSS, I_D и R_DS(on), особенно в высоковольтных приложениях.

Если нужна более точная информация по конкретному применению, уточните условия работы (частоту, нагрузку, тепловой режим).