IXYS IXTH36N50P

IXYS IXTH36N50P — это мощный N-канальный MOSFET-транзистор, разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений. Он обладает низким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)) и высокой устойчивостью к импульсным нагрузкам, что делает его подходящим для импульсных источников питания, инверторов, DC-DC преобразователей и других силовых электронных устройств.

Технические характеристики:

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Структура: Super TO-247 (Super247)
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 500 В
• Максимальный ток стока (I_D): 36 А (при 25°C)
• Максимальный импульсный ток (I_DM): 144 А
• Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)): 0,15 Ом (при V_GS = 10 В)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 4 В
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_D): 300 Вт (при 25°C)
• Температурный диапазон: -55°C … +150°C
• Заряд затвора (Q_g): 85 нКл (типовое)
• Емкость входная/выходная (C_iss/C_oss): 2600 пФ / 350 пФ

Альтернативные парт-номера и совместимые модели:

Прямые аналоги (схожие параметры):

• IXYS IXTH36N50P2 (модификация с улучшенными характеристиками)
• IXYS IXTH32N50P (32 А, 500 В, R_DS(on) ≈ 0,18 Ом)
• IXYS IXTH48N50P (48 А, 500 В, R_DS(on) ≈ 0,1 Ом)

Аналоги от других производителей:

• Infineon IPP60R190P7 (600 В, 19 А, R_DS(on) = 0,19 Ом)
• STMicroelectronics STW36N50DM2 (500 В, 36 А, R_DS(on) = 0,15 Ом)
• Vishay SUP50020E-GE3 (500 В, 20 А, R_DS(on) = 0,2 Ом)

Применение:

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Инверторы и преобразователи частоты
• DC-DC преобразователи
• Управление двигателями
• Индукционные нагреватели

Транзистор IXTH36N50P отличается высокой надежностью и эффективностью в силовых приложениях, особенно там, где требуется работа при высоких напряжениях и токах.

Если нужна более точная информация по заменам, уточните требования (например, по току, напряжению или корпусу).