IXYS IXTH6N100D2

Описание

IXYS IXTH6N100D2 – это N-канальный MOSFET-транзистор с высоким напряжением стока (1000 В), разработанный для мощных приложений, таких как импульсные источники питания, инверторы и системы управления двигателями. Компонент выполнен в корпусе TO-247, обеспечивающем эффективное теплоотведение, и обладает низким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)), что минимизирует потери мощности.

Ключевые технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 1000 В |
| Макс. ток стока (I_D) | 6 А (при 25°C) |
| Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 3.0 Ом (при V_GS = 10 В) |
| Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 4.0 В |
| Макс. мощность рассеивания (P_D) | 125 Вт |
| Корпус | TO-247 |
| Диапазон рабочих температур | -55°C до +150°C |

Парт-номера (альтернативные обозначения)

• IXTH6N100D2 (основная модель)
• IXTH6N100D2TR (версия в поставке на катушке)

Совместимые/аналогичные модели

1. IXTH8N100D2 (8 А, 1000 В, TO-247)
2. IXTH10N100D2 (10 А, 1000 В, TO-247)
3. STMicroelectronics STW6N100K3 (6 А, 1000 В, TO-247)
4. Infineon IPA60R099CP (600 В, но близкие параметры тока)
5. Fairchild (ON Semiconductor) FQP6N100 (6 А, 1000 В, TO-220 – аналог с другим корпусом)

Применение

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Инверторы и драйверы двигателей
• Высоковольтные преобразователи

Примечания

• При замене на аналоги важно учитывать корпус, токи и тепловые характеристики.
• Для высокочастотных схем рекомендуется проверять динамические параметры (заряд затвора, емкости).

Если нужна дополнительная информация по конкретному аналогу или применению, уточните детали!