IXYS IXTK17N120L

Описание и технические характеристики IXYS IXTK17N120L

IXYS IXTK17N120L – это высоковольтный N-канальный MOSFET-транзистор, предназначенный для мощных импульсных приложений, таких как инверторы, импульсные источники питания (SMPS), электроприводы и другие высоковольтные системы.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение – до 1200 В
• Большой ток – до 17 А (импульсный до 68 А)
• Низкое сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) – 0.45 Ом
• Быстрое переключение – подходит для высокочастотных схем
• Высокая энергоэффективность – низкие динамические потери
• Корпус TO-247 – обеспечивает хороший теплоотвод

Технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 1200 В |
| Макс. ток стока (I_D) при 25°C | 17 А (постоянный) / 68 А (импульсный) |
| Сопротивление канала (R_DS(on)) | 0.45 Ом (при V_GS = 10 В) |
| Потребляемая мощность (P_D) | 300 Вт |
| Пороговое напряжение (V_GS(th)) | 3.5 – 5 В |
| Входная емкость (C_iss) | 1900 пФ |
| Корпус | TO-247 |
| Рабочая температура | от -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые аналоги

Парт-номера от IXYS:

• IXTH17N120 (близкий аналог с аналогичными характеристиками)
• IXFH17N120 (альтернатива в другом корпусе)

Совместимые аналоги от других производителей:

• Infineon: IPW60R120C7, IPP60R120C6
• STMicroelectronics: STW17N120K5
• Fairchild (ON Semiconductor): FCH17N120
• Toshiba: TK17N120W

Эти транзисторы могут использоваться в схемах с аналогичными требованиями по току и напряжению, но перед заменой рекомендуется проверять даташиты на соответствие параметров.

Если нужна дополнительная информация (графики, особенности применения), уточняйте!