IXYS IXTK62N25

IXYS IXTK62N25 – Описание и технические характеристики

Описание:
IXTK62N25 – это N-канальный мощный MOSFET транзистор от IXYS (ныне Littelfuse), предназначенный для высоковольтных и высокотоковых приложений. Основные сферы применения: импульсные источники питания, инверторы, промышленные приводы, сварочное оборудование и системы управления электродвигателями.

Отличается низким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)) и высокой перегрузочной способностью, что делает его пригодным для жестких условий эксплуатации.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | N-Channel MOSFET (Enhancement) | | Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 250 В | | Макс. ток стока (I_D) при 25°C | 62 А (непрерывный) | | Импульсный ток (I_DM) | 248 А (кратковременный) | | Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 0.025 Ом (при V_GS=10 В, I_D=31 А) | | Потребляемая мощность (P_D) | 300 Вт (при T_C=25°C) | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 2–4 В | | Макс. напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 В | | Заряд затвора (Q_g) | ~110 нКл (тип.) | | Время включения/выключения (t_d(on), t_d(off)) | ~25 нс / ~60 нс | | Корпус | TO-264 (аналог TO-247 с улучшенным теплоотводом) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены от других производителей:

• Infineon: IPP60R099CP (250 В, 60 А, R_DS(on) = 0.099 Ом)
• Vishay (Siliconix): SUP75N20-18 (200 В, 75 А, R_DS(on) = 0.018 Ом)
• STMicroelectronics: STP80NF25 (250 В, 80 А, R_DS(on) = 0.028 Ом)
• Fairchild (ON Semiconductor): FQA50N25 (250 В, 50 А, R_DS(on) = 0.06 Ом)

Парт-номер от IXYS (Littelfuse):

• IXTK62N25T (возможен вариант с другим суффиксом, обозначающим упаковку или партию)

Примечания:

• Перед заменой на аналог необходимо проверить соответствие по V_DSS, I_D, R_DS(on) и заряду затвора.
• Для оптимального теплоотвода рекомендуется использовать радиатор.

Если нужны дополнительные параметры (тепловые характеристики, графики), уточните!