IXYS IXTN30N100L

Описание

IXYS IXTN30N100L – это N-канальный MOSFET-транзистор с высоким напряжением (1000 В) и низким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)). Он предназначен для мощных импульсных преобразователей, инверторов, источников питания и других приложений, требующих высокой эффективности и надежности.

Ключевые характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|-------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 1000 В | | Макс. ток стока (I_D) | 30 А (при 25°C) | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 0.28 Ом (при V_GS = 15 В) | | Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±30 В | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 300 Вт (при 25°C) | | Корпус | TO-247 (изолированный) | | Температурный диапазон | -55°C ... +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (замены):

• IXYS IXTN30N100D (аналогичные параметры, но с другим корпусом)
• IXYS IXTH30N100 (близкий аналог с похожими характеристиками)
• Infineon IPW90R120C3 (900 В, 30 А, R_DS(on) = 0.12 Ом)
• STMicroelectronics STW30N100 (1000 В, 30 А, R_DS(on) = 0.30 Ом)

Совместимые модели (похожие параметры):

• IRFP460 (500 В, 20 А, TO-247) – для менее требовательных схем
• FDPF33N25 (250 В, 33 А, TO-247) – для низковольтных приложений
• APT10030J (1000 В, 30 А, TO-247) – альтернатива от Advanced Power Technology

Применение

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Инверторы и драйверы двигателей
• Высоковольтные преобразователи
• Индукционные нагреватели

Если требуется точная замена, рекомендуется проверить параметры в даташите, особенно R_DS(on), V_GS(th) и динамические характеристики.