IXYS IXTN36N50

Описание

IXYS IXTN36N50 – это N-канальный MOSFET-транзистор, разработанный для высоковольтных и высокомощных приложений. Он обладает низким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)) и высокой скоростью переключения, что делает его подходящим для импульсных источников питания, инверторов, двигателей и других силовых электронных устройств.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------|-----------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение сток-исток (V_DS) | 500 В | | Макс. ток стока (I_D) | 36 A (при 25°C) | | Сопротивление сток-исток (R_DS(on)) | 85 мОм (при V_GS = 10 В) | | Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±30 В | | Мощность рассеяния (P_D) | 300 Вт (при 25°C) | | Корпус | TO-247 | | Температура хранения | от -55°C до +150°C |

Альтернативные и совместимые модели

Парт-номера (аналоги и замены):

• IRFP450 (International Rectifier) – 500 В, 14 А, R_DS(on) = 400 мОм
• STW36N50 (STMicroelectronics) – 500 В, 36 А, R_DS(on) = 85 мОм
• FDP36N50 (Fairchild/ON Semi) – 500 В, 36 А, R_DS(on) = 90 мОм
• IXTH36N50 (IXYS) – близкий аналог с аналогичными параметрами

Совместимые модели (по характеристикам):

• IXTN30N50 (30 А, 500 В)
• IXTN40N50 (40 А, 500 В)
• APT50M75JVR (Advanced Power Technology) – 500 В, 50 А

Применение

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Инверторы и преобразователи частоты
• Управление электродвигателями
• Высоковольтные коммутационные схемы

Если нужны более детальные параметры (графики, время переключения), уточните!