IXYS IXTN660N04T4

Описание и технические характеристики IXYS IXTN660N04T4

IXTN660N04T4 – это N-канальный MOSFET транзистор с низким сопротивлением открытого канала (RDS(on) и высокой перегрузочной способностью. Предназначен для мощных импульсных преобразователей, DC-DC инверторов, управление двигателями и других приложений с высокими токами.

Основные параметры:

• Тип транзистора: N-channel MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 40 В
• Максимальный ток стока (ID): 660 А (при 25°C)
• Сопротивление открытого канала (RDS(on)):
  • 0.36 мОм (при VGS = 10 В)
  • 0.5 мОм (при VGS = 4.5 В)
• Максимальная рассеиваемая мощность (PD): 600 Вт
• Пороговое напряжение затвора (VGS(th)): 1.5 – 2.5 В
• Емкость затвора (Ciss / Coss / Crss): ~30 нФ / ~9 нФ / ~1 нФ
• Корпус: TO-264 (аналог TO-263 в усиленном исполнении)
• Температурный диапазон: -55°C ... +175°C

Особенности:

• Высокая перегрузочная способность по току
• Низкие потери проводимости
• Быстрое переключение
• Высокая надежность в мощных приложениях

Альтернативные парт-номера и аналоги:

Прямые аналоги (полные замены):

• IXTN660N04T4 (оригинал от IXYS / Littelfuse)
• IXTN660N04T (версия без дополнительных тестов)

Совместимые аналоги (с близкими параметрами):

• Infineon IPT015N04NFD (40V, 600A, 0.4 мОм)
• Vishay SUP40060E (40V, 600A, 0.4 мОм)
• STMicroelectronics STH600N4F7 (40V, 600A, 0.5 мОм)
• ON Semiconductor NTP40N04 (40V, 500A, 0.6 мОм)

Аналоги в других корпусах:

• IRFP4368PBF (TO-247, 40V, 580A, 0.6 мОм)
• AUIRFS8409-7P (TO-263, 40V, 360A, 0.8 мОм)

Типовые применения:

• Импульсные блоки питания
• Управление электродвигателями
• Инверторы и DC-DC преобразователи
• Силовые ключи в автомобильной электронике

Если нужна более точная замена – уточните условия работы (частота, ток, охлаждение).