IXYS ixtp3n120

IXYS IXTP3N120 – Описание и технические характеристики

Описание:
IXTP3N120 – это N-канальный MOSFET-транзистор с напряжением сток-исток 1200 В и током стока 3 А. Применяется в высоковольтных схемах, импульсных источниках питания, инверторах и системах управления двигателями.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 1200 В |
| Макс. ток стока (I_D) | 3 А |
| Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R_DS(on)) | 6 Ом (при V_GS = 10 В) |
| Макс. мощность рассеивания (P_D) | 40 Вт |
| Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 2–4 В |
| Корпус | TO-220 |
| Рабочая температура | -55°C до +150°C |

Парт-номера (альтернативные обозначения и аналоги):

• IXYS IXTP3N120 (оригинал)
• IXTP3N120 (сокращенное обозначение)
• IXTH3N120 (аналог в другом корпусе)

Совместимые или аналогичные модели:

• IRFBC40 (600 В, 6,2 А, TO-220)
• STP3NB120 (1200 В, 3 А, TO-220)
• FQPF3N120C (1200 В, 3 А, TO-220F)
• 2SK3562 (1200 В, 3 А, TO-220)

🔹 Примечание: При замене на аналог необходимо учитывать различия в характеристиках, особенно по R_DS(on) и ёмкости затвора.

Если нужны дополнительные данные (графики, корпусные исполнения), уточните!