IXYS ixtp86n20t

IXYS IXTP86N20T – это N-канальный MOSFET транзистор с высокой мощностью и низким сопротивлением в открытом состоянии, предназначенный для применения в силовой электронике.

Технические характеристики:

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 200 В
• Максимальный ток стока (I_D): 86 А (при 25°C)
• Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)):
  • 0.028 Ом (при V_GS = 10 В)
  • 0.038 Ом (при V_GS = 4.5 В)
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_D): 300 Вт (при 25°C)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 3–5 В
• Ёмкость затвора:
  • Входная (C_iss): ~3000 пФ
  • Выходная (C_oss): ~600 пФ
  • Обратной связи (C_rss): ~100 пФ
• Корпус: TO-247
• Температурный диапазон: -55°C до +175°C

Основные преимущества:

✅ Высокий ток стока (86 А)
✅ Низкое R_DS(on) для минимизации потерь
✅ Быстрое переключение
✅ Подходит для импульсных источников питания, инверторов, моторных драйверов

Парт-номера и аналоги:

• Полные аналоги:
  • IXYS IXTH86N20T (тот же транзистор, но в другом корпусе)
  • IXYS IXFH86N20T
• Частично совместимые модели (похожие параметры):
  • IRFP260N (200 В, 50 А, R_DS(on) = 0.04 Ом)
  • STW86N20 (200 В, 86 А, R_DS(on) = 0.028 Ом)
  • FDP51N20 (200 В, 51 А, R_DS(on) = 0.042 Ом)

Применение:

🔹 Импульсные блоки питания (SMPS)
🔹 Инверторы и преобразователи частоты
🔹 Управление двигателями
🔹 Силовые ключи в автомобильной электронике

Если нужна более детальная информация по конкретному применению, уточните запрос!