IXYS IXTT1N250HV

IXYS IXTT1N250HV – Описание и технические характеристики

Описание

IXTT1N250HV – это высоковольтный N-канальный MOSFET транзистор от компании IXYS (ныне часть Littelfuse), предназначенный для применения в мощных импульсных источниках питания, инверторах, плазменных дисплеях и других высоковольтных системах.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение сток-исток (2500 В)
• Низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on) = 8 Ом)
• Быстрое переключение благодаря низкому заряду затвора
• Корпус TO-247 для эффективного теплоотвода

Технические характеристики (основные параметры)

| Параметр | Значение |
|-------------------------|----------------------------------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Макс. напряжение VDS | 2500 В |
| Макс. ток стока (ID) | 1 А (при 25°C) |
| Сопротивление RDS(on) | 8 Ом (при VGS = 10 В) |
| Напряжение затвора VGS | ±30 В |
| Мощность рассеивания (PD)| 125 Вт (при 25°C) |
| Заряд затвора (Qg) | ~18 нКл (тип.) |
| Корпус | TO-247 (изолированный вариант также доступен) |

Аналоги и совместимые модели

Прямые аналоги (альтернативы от других производителей):

• STMicroelectronics STP1NK250Z (2500 В, 1 А, TO-247)
• Infineon IPP60R190P6 (600 В, но может использоваться в некоторых схемах с меньшим напряжением)
• ON Semiconductor NTH1N250 (2500 В, 1 А, TO-247)

Совместимые модели от IXYS (Littelfuse):

• IXTT2N250 (аналогичные характеристики, но другой ток)
• IXTT3N250HV (более высокий ток)
• IXTH1N250 (в другом корпусе)

Применение

• Высоковольтные источники питания
• Инверторы и преобразователи
• Медицинское оборудование
• Импульсные схемы управления

Если вам нужна более точная замена, уточните схему и условия работы. Некоторые аналоги могут отличаться по динамическим характеристикам.