IXYS IXTT1N450HV

Описание

IXYS IXTT1N450HV – это высоковольтный N-канальный MOSFET транзистор, предназначенный для применения в мощных импульсных источниках питания, инверторах, корректорах коэффициента мощности (PFC) и других высоковольтных схемах. Благодаря высокой устойчивости к напряжению и низкому сопротивлению в открытом состоянии (R_DS(on)), он обеспечивает эффективное управление мощностью с минимальными потерями.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-channel MOSFET |
| Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS) | 4500 В |
| Максимальный ток стока (I_D) | 1 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 18 Ом (при V_GS = 10 В) |
| Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 4–6 В |
| Максимальная рассеиваемая мощность (P_D) | 125 Вт |
| Тип корпуса | TO-247 (возможны аналогичные) |
| Температурный диапазон | -55°C до +150°C |
| Заряд затвора (Q_g) | ~20 нКл (типовое) |
| Время включения/выключения (t_r/t_f) | ~100 нс / ~200 нс |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги от IXYS/Littelfuse:

• IXTT2N450HV (аналог с повышенным током до 2 А)
• IXTT3N450HV (3 А, 4500 В)
• IXTH1N450HV (альтернативный корпус)

Совместимые модели от других производителей:

• STMicroelectronics STx1N450 (аналогичные параметры)
• Infineon IPA1N450HV
• Toshiba TK1N450HV (возможны различия в корпусе)

Устаревшие/альтернативные модели:

• IXFH1N450 (более старый аналог)
• IRFBE30 (менее мощный, но в некоторых схемах взаимозаменяем)

Применение

• Высоковольтные источники питания
• Медицинское оборудование (дефибрилляторы, рентген-аппараты)
• Инверторы и преобразователи напряжения
• Системы коррекции коэффициента мощности (PFC)

Примечание

Перед заменой на аналог рекомендуется проверить соответствие характеристик, особенно V_DSS, I_D, R_DS(on) и параметры переключения. Для точного подбора используйте datasheet производителя.

Если нужны дополнительные данные (графики, схемы включения), уточните!