IXYS IXTY18P10T

IXYS IXTY18P10T – Описание и технические характеристики

Описание

IXYS IXTY18P10T – это мощный P-канальный MOSFET транзистор в корпусе TO-252 (DPAK), предназначенный для высокоэффективных переключений в силовой электронике. Он обладает низким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)) и высокой устойчивостью к перегрузкам, что делает его подходящим для:

• Импульсных источников питания (SMPS)
• DC-DC преобразователей
• Управления двигателями
• Систем управления батареями
• Промышленных и автомобильных приложений

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Тип транзистора | P-канальный MOSFET |
| Максимальное напряжение (V_DSS) | -100 В |
| Максимальный ток (I_D) | -18 А (при 25°C) |
| Сопротивление (R_DS(on)) | 0.1 Ом (при V_GS = -10 В) |
| Пороговое напряжение (V_GS(th)) | -3 В (тип.) |
| Максимальная рассеиваемая мощность (P_D) | 45 Вт (при 25°C) |
| Тип корпуса | TO-252 (DPAK) |
| Диапазон рабочих температур | -55°C до +175°C |

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

• IXTY18P10T (оригинальный номер от IXYS)
• IRF4905 (аналог от International Rectifier, но с другими характеристиками)
• FQP47P06 (Fairchild, менее мощный аналог)
• STP18P10F6 (STMicroelectronics, схожие параметры)
• AOD4185 (Alpha & Omega Semiconductor)

Примечания по замене

При выборе аналога учитывайте:

• Напряжение V_DSS
• Ток I_D
• Сопротивление R_DS(on)
• Корпус (TO-252 для прямого монтажа)

Если требуется точная замена, лучше использовать оригинальный IXTY18P10T или уточнять datasheet альтернатив.

Нужна дополнительная информация? Готов помочь!