IXYS Ixyx120n120c3

IXYS Ixyx120n120c3 — это мощный N-канальный MOSFET-транзистор с высоким напряжением и током, предназначенный для применения в силовой электронике, импульсных источниках питания, инверторах и других высоковольтных системах.

Основные технические характеристики:

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 1200 В
• Максимальный ток стока (I_D при 25°C): 120 А
• Максимальный импульсный ток (I_DM): 480 А
• Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R_DS(on)): 30 мОм (при V_GS = 15 В)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 4–6 В
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_D): 600 Вт
• Корпус: TO-247 или аналогичный (точный корпус уточняйте в даташите)
• Температурный диапазон: -55°C до +150°C

Парт-номера и совместимые модели:

Прямые аналоги и схожие по параметрам MOSFET-транзисторы:

• IXYS IXFX120N120P (аналог с близкими характеристиками)
• Infineon IPA60R190P7 (менее мощный, но может использоваться в некоторых схемах)
• STMicroelectronics STW88N120 (альтернатива с похожими параметрами)
• Microsemi APT12050J (высоковольтный MOSFET)

Применение:

• Силовые инверторы
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Электроприводы и двигатели
• Высоковольтные преобразователи

Для точного подбора аналога рекомендуется проверять даташиты и сравнивать параметры R_DS(on), V_GS(th) и тепловые характеристики.

Если у вас есть конкретные требования по замене, уточните условия работы (частота переключения, температура, нагрузка), чтобы подобрать оптимальный аналог.