IXYS MCC5512IO8

Описание IXYS MCC5512IO8

MCC5512IO8 – это высоковольтный, высокоскоростной IGBT-модуль с интегрированным обратным диодом, разработанный компанией IXYS (ныне часть Littelfuse). Модуль предназначен для применения в импульсных источниках питания, инверторах, промышленных приводах и других силовых электронных системах, требующих высокой эффективности и надежности.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (VCES).
• Низкие потери при переключении.
• Встроенный быстрый антипараллельный диод.
• Изолированный корпус для удобства монтажа на теплоотвод.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Тип прибора | IGBT-модуль (NPT) + диод |
| Макс. напряжение VCES | 1200 В |
| Ток коллектора (IC @ 25°C) | 55 А |
| Ток коллектора (IC @ 100°C) | 35 А |
| Ток диода (IF) | 55 А |
| Напряжение насыщения (VCE(sat)) | ~2.0 В (тип.) |
| Время включения (ton) | <100 нс |
| Время выключения (toff) | <500 нс |
| Рабочая температура | -40°C до +150°C |
| Корпус | Изолированный (например, TO-247)|

Парт-номера и аналоги

Прямые замены и аналогичные модели IXYS/Littelfuse:

• MCC5512IO8 (оригинальный номер)
• MCC5512IO8B (возможна модификация)
• IXGH55N120B (отдельный IGBT с близкими параметрами)

Совместимые/альтернативные модели от других производителей:

• Infineon: IHW55N120R5
• Fuji Electric: 2MBI100XA-120
• STMicroelectronics: STGW55H120DF
• Semikron: SKM55GB12T4

Примечания

1. Перед заменой проверяйте распиновку и характеристики, особенно параметры VCE(sat) и время переключения.
2. Для высокочастотных применений рекомендуются модели с меньшими ton/toff.
3. Уточняйте актуальность аналогов у производителей, так как линейки обновляются.

Если вам нужна дополнительная информация (например, графики зависимостей или применение в схемах), уточните запрос!