IXYS MCC5608IO8B

IXYS MCC5608IO8B – это силовой модуль (IGBT-транзистор с обратным диодом), предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений, таких как инверторы, приводы двигателей и импульсные источники питания.

Технические характеристики:

• Тип: IGBT-модуль (NPT-технология) с антипараллельным диодом
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Ток коллектора (I_C): до 80 А (при 25°C)
• Ток импульсный (I_CM): до 160 А
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): ~2.0 В (тип.)
• Скорость переключения: высокая (оптимизирована для частот до 20 кГц)
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): ~0.25 °C/Вт
• Корпус: модульный, изолированный (например, TO-247 или аналогичный)
• Рабочая температура: -40°C до +150°C
• Встроенный диод: быстрый восстановительный (FRD)

Парт-номера и аналоги:

Прямые замены:

• IXYS MCC5608IO8B (оригинал)
• IXGN80N60B (аналог от IXYS)
• IRG4PH50UD (аналог от Infineon)
• FGA60N65SMD (аналог от Fairchild/ON Semi)

Совместимые модели (по характеристикам):

• STGW80H60DF (STMicroelectronics)
• NGTB50N60FL2WG (ON Semiconductor)
• APT50GR60J (Microchip Technology)

Применение:

• Промышленные инверторы
• Сварочное оборудование
• Управление электродвигателями
• Импульсные блоки питания

Если требуется точный аналог, важно учитывать параметры V_CES, I_C, корпус и тепловые характеристики. Для замены рекомендуется проверять datasheet на соответствие по распиновке и нагрузочным характеристикам.

Нужна дополнительная информация?